碳化硅100问 | SiC MOSFET的阈值电压竟然受反向电压的影响

都说SiC MOSFET的驱动电路难处理，除了栅极耐压能力差之外，高温还会使得阈值电压VGS(th)下降，增加桥臂短路的风险。你以为这就结束了么？没想到吧，VGS(th)受到反向电压的影响，惊不惊喜？意不意外？

碳化硅100问 | SiC MOSFET的阈值电压随温度是如何变化的

擒贼先擒王，打蛇打七寸，抓住事情的本质能让人醍醐灌顶。SiC MOSFET的开关特性、桥臂直通风险都受到其阈值电压VGS(th)的影响。而SiC MOSFET在工作过程中的温度是变化的，掌握其特度特征至关重要。

碳化硅100问 | 如何理解SiC MOSFET的转移特性曲线

条条大路通罗马，水流千里归大海，纵横不出方圆，万变不离其宗。对SiC MOSFET而言，转移特性曲线是对其通流能力进行表征的祖师爷，现在让我们一起来跟随泰科天润半导体认识认识它吧。

碳化硅100问 | SiC二极管的反向恢复特性到底有多强

跟关公耍大刀，跟博尔特赛跑，跟郭德纲讲段子，跟碳化硅二极管比反向恢复，你就知道什么叫做降维打击。碳化硅二极管的反向恢复特性究竟有多强，今天就测给你看。  

碳化硅100问 | SiC MOSFET的耐压能力随温度是如何变化的

好的感情能跨越空间和时间，就像牛郎和织女；优秀的工程师上进又刻苦，就像此刻的你；受欢迎的拓扑高频又高效，就像LLC；理想的器件能工作在更宽的温度范围内，SiC MOSFET是否能顶得住？让我们一起看看SiC MOSFET耐压能力随..

碳化硅100问 | SiC二极管真的是“零反向恢复“么

碳化硅二极管如果真如规格书上写的“零反向恢复”，那岂不是可以让其开关频率无穷高了？这听起来就非常诱人，但又让人不太放心。是骡子是马，拉出来溜溜，一起来看看实测结果吧。

碳化硅100问 | SiC二极管的结电容会随温度而变化么

导通电压、漏电流都会随温度而变化，碳化硅二极管也太善变了吧！碳化硅二极管的结电容也是受到重点关注的参数，因为它会直接影响其反向恢复特性，那么它是随温而变还是始终如一呢？

碳化硅100问 | SiC二极管的耐压能力随温度是如何变化的

夏日炎炎，持续高温，感觉整个人都要融化了。而碳化硅二极管的生存条件比我们更加恶劣，它已经发烧到90℃-150℃了。不少工程师担心其耐压能力会随着温度的升高而降低，从而导致过压击穿损坏。透过碳化硅二极管漏电流随..

碳化硅100问 | 如何进一步降低SiC二极管的导通电压

PFC电路已经用上碳化硅二极管了，终端客户怎么对效率还是不满意！又要加班加点调电路了么？不必惊慌，快试试采用减薄工艺的低导通损耗碳化硅二极管吧。  

碳化硅100问 | SiC二极管的导通电压随温度是如何变化的

世界是多变的，造型是百变的，天气是时变的，碳化硅二极管的导通压降是温变的。充分掌握其随温度变化的规律才能拿捏住变换器的效率，现在就让我们实测看看结果如何。